ماه گذشته بود که اعلام شد سامسونگ و TSMC هر کدام به دنبال ساخت تراشه پرچمدار بعدی کوالکام هستند که انتظار می‌رود اسنپدراگون 845 باشد.
این تراشه که با استفاده از فرآیند ساخت 7 نانومتری تولید خواهد شد، احتمالا در گوشی‌های پرچمدار سال آینده قدرتنمایی خواهد کرد. بر اساس گزارش‌های منتشر شده و همچنین با توجه به روندی که امسال در پیش گرفته شد، احتمالا گلکسی اس 9 سامسونگ اولین گوشی هوشمندی است که این پردازنده را در درون خود جای خواهد داد.
شایعات حاکی از آن است که سامسونگ سال آینده به چارچوب زمانی خود باز خواهد گشت و گوشی پرچمدار بعدی خود را در نمایشگاه MWC 2018 معرفی خواهد کرد. نمایشگاهی که به طور معمول از 26 فوریه تا 1 مارس برگزار می‌شود.
کرین هواوی، مدیاتک و انویدیا از تراشه های دیگری هستند که در سال آینده با فرآیند 7 نانومتری تولید خواهند شد. تراشه های رده بالایی چون اسنپدراگون 835 در حال حاضر با فرآیند 10 نانومتری ساخته می‌شوند. رسیدن به تکنولوژی 7 نانومتری به معنای 25 تا 35 کاهش در اندازه تراشه های نسل بعدی است. استفاده از این تراشه در مدل‌های سال آینده می‌تواند به کوچکتر شدن اندازه گوشی‌های هوشمند نیز کمک شایانی کند.
به جز تراشه اسنپدراگون 845 ، انتظار می‌رود که کوالکام به زودی از تراشه دیگری رونمایی کند. تراشه اسنپدراگون 660 که می‌تواند تامین کننده قدرت گوشی‌های میان رده نسل بعدی باشد. این پردازنده به احتمال زیاد در مدل های جدید سامسونگ گلکسی C، شیائومی ردمی پرو 2، شیائومی می مکس 2، اوپو آر 11، نوکیا 7 و نوکیا 8 قدرتنمایی خواهد کرد.
چهار هسته Cortex-A73 با سرعت کلاک 2.3 گیگاهرتز و چهار هسته Cortex-A53 با سرعت پردازش 1.9 گیگاهرتز از مشخصات اسنپدراگون 660 است. از دیگر ویژگی‌های این پردازنده می‌توان به پشتیبانی از مودم X10 LTE، شارژ سریع Quick Charge 4.0 و رم LPDDR4X اشاره کرد. باید دید که عملکرد این تراشه در دنیای واقعی چگونه خواهد بود!
.
منبع: phonearena
