تولید انبوه تراشه های 18 نانومتری توسط سامسونگ در سال 2016 رخ خواهد داد. به گزارش Electronic Times سامسونگ ظاهرا شروع به تولید انبوه تراشه های DRAM با یک فرآیند جدید 1X-نانو (18 نانومتری) در سال 2016 کرده است. این شرکت قصد دارد با انجام این کار به کاهش هزینه های تولید و بهبود سودآوری با توجه به قیمتی که برای DRAM تا پاییز سال آینده، پیش بینی می شود بپردازد.
بر اساس این گزارش، سامسونگ یکی از چابک ترین شرکت ها دراجرای فرآیندهای تولیدی جدید است، و اکنون توسعه تراشه های 1X-نانو DRAM را به پایان رسانده است و به دنبال شروع تولید انبوه آن از فصل اول سال 2016 است. شرکت های اسکی هاینیکس و میکرون نیز در سال آینده به دنبال این موضوع می روند. اما انتظار می رود میکرون پس از ناکامی در استفاده از فرآیند جدید، در آستانه زیان باشد.
سامسونگ تولید انبوه تراشه های 20 نانومتری DRAM را در سال 2014 آغازکرده است که برای اولین بار در جهان آن را به قمر رساند. در نتیجه، این غول الکترونیکی قادر به بهبود سود و همچنین سهم بازار با کاهش هزینه های تولید بود. با توجه به DRAM Exchange که یک شرکت تحقیقات بازار است، قیمت قرارداد تراشه 4GB DDR3 D-RAM در ماه نوامبر 1.72 دلار بود که 49.1 درصد کمتر از هزینه های آن در ژانویه است.
اگر بخواهیم توضیح مختصری در مورد فن آوری 18 نانومتری و کارائی آن بدهیم باید بگوییم که در فناوری 18 نانومتری فاصله‌ی بین اجزای اصلی هر واحد پردازشی 18 نانومتر است. هرچقدر این فاصله کمتر باشد، طراحی آن ظریف تر است و ترانزیستورهای بیشتری روی آن جا می‌شود در نتیجه باعث بهبود عملکرد آن خواهد شد.
.
با عضویت در کانال رسمی تکرا در تلگرام از آخرین اخبار روز تکنولوژی مطلع باشید.
.
منبع: sammobile
