تولید تراشه اسنپدراگون ۸۲۰ توسط سامسونگ و با استفاده از تکنولوژی نسل دوم فرایند ۱۴ نانومتری FinFET آغاز می شود.
سامسونگ در یک مصاحبه ی مطبوعاتی چیزی را تایید کرد که تا قبل از آن تنها تحت عنوان حدس و گمان شنیده بودیم. این شرکت رسما اعلام کرد که تولید انبوه تراشه هایی که با استفاده از تکنولوژی نسل دوم فرایند ۱۴ نانومتری FinFET تولید می شوند را آغاز می کند. سامسونگ تراشه های اسنپدراگون ۸۲۰ کوالکام را با استفاده از تکنولوژی فرایند ۱۴ نانومتری نسل دوم تولید می کند.
این یعنی تراشه ی اسنپدراگون ۸۲۰ از قابلیت LPP یا همان Low Power Plus بهره می برد. با بهره گیری از این قابلیت و در مقایسه با تراشه هایی که با استفاده از فرایند ۱۴ نانومتری FinFET نسل اول سامسونگ ساخته شدند، این تراشه ها از ۱۵ درصد سرعت بالاتری برخوردا خواهند بود؛ این در حالی است که ۱۵ درصد هم کمتر عمر باتری مصرف می شود.
مدیر اجرایی بازاریابی و فروش سامسونگ می گوید: “ما خوشحالیم که تولید صنعت پیشروی خود، تکنولوژی فرایند ۱۴ نانومتری FinFET را آغاز کرده ایم که سطح بالایی از عملکرد و بازدهی را ارائه می دهد. سامسونگ روند تولید مشتقات این تکنولوژی فین فت ۱۴ نانومتری را به منظور حفظ پیشگامی تکنولوژی خود ادامه می دهد.”
بدون شک سامسونگ برای تولید اگزینوس ۸۸۹۰ که در گلکسی اس ۷ هم استفاده شده است، از این تکنولوژی جدید استفاده می کند. فرایند نسل اول ۱۴ نانومتری فین فت برای تولید تراشه ی نسخه ی اپل ای ۹ سامسونگ استفاده شده است. همان تکنولوژی برای تولید اگزینوس ۷۴۲۰ که در گلکسی اس۶، گلکسی اس ۶ اج، گلکسی ای ۶ اج پلاس و گلکسی نوت ۵ به کار رفته، استفاده شده است.
.
با عضویت در کانال رسمی تکرا در تلگرام از آخرین اخبار روز تکنولوژی مطلع باشید.
.
منبع: phonearena
