تکنولوژی جدید آی بی ام جایگزین رم و فلش می شود.
طبق گزارشی که روز سه شنبه منتشر شد، IBM Research تکنولوژی ذخیره سازی نوری را توسعه داده است که احتمالا در گوشی های هوشمند آینده با رم و حافظه ی فلش جایگزین می شود. این تکنولوژی که Phase-Change Memory یا به اختصار (PCM) نامگذاری شده است، هم اکنون برای استفاده در گوشی های هوشمند بیش از حد گران قیمت به نظر می رسد. این تکنولوژی برای نوشتن و خواندن دیتا از ساختاری بی نظم، از جریان الکتریکی استفاده می کند.
PCM به مدت بیش از ۱۵ سال است که در دیسک های نوری و تکنولوژی های دیگر استفاده می شود اما آی بی ام نه تنها هیچ راه حلی برای کاهش هزینه ی این تکنولوژی ندارد بلکه متدی ارائه داده است که حتی در دماهای بالاتر تنها ۳ بیت داده در هر سلول ذخیره می کند. سرانجام محققان در روز سه شنبه در ورک شاپ IEEE در پاریس نشان دادند که این هزینه طوری کاهش داده می شود که با فلش رقابت خواهد کرد و ارزانتر از DRAM خواهد بود.
برخلاف رم، PCM هنگامی که خاموش شود، دیتا از دست نمی رود. احتمالا PCM و فلش برای تولید یک کش (cache) سریع نوری با یکدیگر ترکیب خواهند شد. به طور مثال، آی بی ام می گوید احتمالا سیستم عامل یک گوشی در PCM ذخیره می شود و به دستکاه این امکان رامی دهد در ثانیه راه اندازی (بوت) شود.
IBM Research می گوید: “مواد PCM در دو حالت پایدار نشان داده می شوند: فاز بی شکل (بدون ساختاری که به وضوح تعریف شود) و فاز کریستالی (با ساختار) که به ترتیب دارای هایت الکتریکی بالا و پایینی هستند. برای ذخیره ی “۰” و “۱” به عنوان بیت بر روی یک سلول PCM، جریان الکتریکی بالا یا متوسطی به این مواد اعمال می شود. یک “۰” می تواند در فاز بی شکل و یک “۱” می توان در فاز کریستالی نوشته شود و یا بالعکس. سپس برای خواندن این بیت، ولتاژ پایینی اعمال می شود.”
ما نمی دانیم چه آینده ای در انتظار PCM است اما بر اساس چیزی که هم اکنون از آن خبر داریم، این تکنولوژی می تواند روش ذخیره ی دیتا را تغییر داده و با استفاده از آن در گوشی های هوشمند آینده، دسترسی کاربران به اطلاعاتی که نیاز دارند، سریعتر خواهد بود.
.
.
با عضویت در کانال رسمی تکرا در تلگرام از آخرین اخبار روز تکنولوژی مطلع باشید.
.
منبع: phonearena
