صنعت نیمههادی چین به یک نقطه عطف مهم رسیده است. شرکت ChangXin Memory Technologies یا CXMT تولید محدود حافظه پیشرفته HBM3E را آغاز کرده؛ حافظهای که یکی از اجزای حیاتی پردازندهها و شتابدهندههای قدرتمند هوش مصنوعی محسوب میشود.
تکراتو به نقل از دیجیاتو گزارش میدهد، CXMT فعلاً HBM3E را در مقیاس محدود تولید میکند و درصورت موفقیت مراحل آزمایش و تأیید، قصد دارد حجم تولید را در سال ۲۰۲۷ افزایش دهد. این اتفاق میتواند وابستگی شرکتهای چینی به تأمینکنندگان خارجی حافظههای پیشرفته را کاهش دهد.
چرا تولید HBM3E برای چین اهمیت دارد؟
حافظه HBM یا High Bandwidth Memory یکی از مهمترین اجزای شتابدهندههای هوش مصنوعی مدرن است.
در این فناوری چندین لایه حافظه DRAM بهصورت عمودی روی یکدیگر قرار میگیرند تا در فضای کوچک، پهنای باند بسیار بالایی در اختیار پردازنده قرار بگیرد.
همین ویژگی باعث شده HBM به یکی از قطعات کلیدی در پردازندههای هوش مصنوعی و مراکز داده تبدیل شود.
بازار این حافظهها در سالهای اخیر عمدتاً در اختیار SK Hynix، سامسونگ و Micron بوده است؛ اما CXMT اکنون تلاش میکند چین را به یک بازیگر جدیتر در این حوزه تبدیل کند.
شرکتهای چینی HBM3E را آزمایش میکنند
براساس گزارش The Information، چند شرکت بزرگ چینی درحال ارزیابی حافظه جدید CXMT برای استفاده در پردازندههای خود هستند.
T-Head، زیرمجموعه طراحی تراشه علیبابا، و Cambricon Technologies از جمله شرکتهایی هستند که HBM3E ساخت CXMT را با شتابدهندههای هوش مصنوعی خود آزمایش میکنند.
اگر مراحل آزمایش و تأیید با موفقیت انجام شود، محصولات تجاری مجهز به این حافظه ممکن است از سال ۲۰۲۷ وارد بازار شوند.
CXMT نیز قصد دارد از سال آینده حجم تولید HBM3E را افزایش دهد.
فاصله چین با غولهای حافظه کمتر شده است
اهمیت این پیشرفت زمانی مشخص میشود که نسل حافظه CXMT را با محصولات شرکتهای پیشرو مقایسه کنیم.
CXMT اکنون به HBM3E رسیده، درحالیکه شرکتهایی مانند SK Hynix، سامسونگ و Micron به سمت تولید HBM4 حرکت کردهاند.
در نتیجه CXMT از نظر نسل محصول تقریباً یک نسل عقبتر از رهبران صنعت قرار دارد؛ هرچند از نظر بازده تولید، حجم تولید و بلوغ فناوری همچنان فاصله قابلتوجهی وجود دارد.
بااینحال، توانایی تولید HBM3E نشان میدهد صنعت حافظه چین با سرعت زیادی درحال پیشرفت است.
پهنای باند بیش از یک ترابایتبرثانیه
CXMT هنوز مشخصات دقیق حافظه HBM3E خود را منتشر نکرده است؛ بنابراین نمیتوان مشخصات استاندارد این نسل را الزاماً مشخصات محصول نهایی شرکت دانست.
در حالت استاندارد، HBM3E از رابط حافظه ۱۰۲۴ بیتی استفاده میکند و بسته به پیکربندی میتواند پهنای باندی در محدوده بیش از یک ترابایتبرثانیه ارائه دهد.
ظرفیت پشتههای این حافظه نیز بسته به تعداد و ظرفیت تراشههای DRAM میتواند متفاوت باشد و نمونههای رایج این نسل در ظرفیتهای ۲۴ و ۳۶ گیگابایت دیده میشوند.
این پهنای باند بالا دقیقاً همان چیزی است که شتابدهندههای هوش مصنوعی برای جابهجایی حجم عظیمی از داده میان پردازنده و حافظه نیاز دارند.
تحریمهای آمریکا انگیزه چین را بیشتر کردهاند
توسعه HBM داخلی برای چین فقط یک موفقیت فنی نیست و اهمیت ژئوپلیتیکی نیز دارد.
محدودیتهای صادراتی آمریکا دسترسی شرکتهای چینی به برخی حافظهها، تجهیزات ساخت تراشه و پردازندههای پیشرفته هوش مصنوعی را دشوار کرده است.
در چنین شرایطی، تولید داخلی HBM میتواند یکی از گلوگاههای مهم زنجیره تأمین شتابدهندههای هوش مصنوعی چین را کاهش دهد.
البته CXMT همچنان با چالشهایی مانند دسترسی محدود به برخی تجهیزات پیشرفته تولید، پایینتر بودن بازده تولید و فاصله فناوری با شرکتهای پیشرو مواجه است.
رقابت حافظههای هوش مصنوعی وارد مرحله تازهای شد
CXMT درحال افزایش ظرفیت تولید تراشههای حافظه خود است و ورود HBM به سبد محصولات این شرکت میتواند نحوه تخصیص این ظرفیت را نیز تغییر دهد.
تولید HBM به تعداد زیادی تراشه DRAM و فرایندهای پیچیده بستهبندی نیاز دارد؛ بنابراین افزایش تولید این حافظه میتواند بخش قابلتوجهی از ظرفیت کارخانههای CXMT را درگیر کند.
بااینحال، برای صنعت نیمههادی چین اهمیت اصلی این اتفاق فراتر از حجم فعلی تولید است: یک تولیدکننده داخلی برای نخستینبار توانسته به مرحله تولید محدود HBM3E برسد.
اگر CXMT بتواند در سال ۲۰۲۷ بازده تولید را افزایش دهد و تأیید شرکتهایی مانند T-Head و Cambricon را دریافت کند، چین یک گام مهم دیگر برای ایجاد زنجیره تأمین داخلی تراشههای هوش مصنوعی برداشته است.
هنوز فاصله قابلتوجهی با SK Hynix، سامسونگ و Micron وجود دارد، اما رقابت HBM دیگر صرفاً یک رقابت میان شرکتهای کرهای و آمریکایی نیست.
