سامسونگ الکترونیک (Samsung Electronics)، که در تکنولوژی مموری پیشتاز است، خبر داد که تولید انبوه اولین فلش مموری ۲۵۶ گیگا بایتی، سه بعدی
3D) ،(V-NAND) Vertical NAND) بر اساس ۴۸ لایه از آرایه های چند سلولی 3 بیتی (MLC) برای استفاده در درایوهای حالت جامد (SSD) را شروع کرده است.
این فلش جدید سامسونگ چگالی تراشه های فلش ۱۲۸ گیگابایتی NAND را دوبرابر می کند. این تراشه ی جدید علاوه بر فعال کردن ۳۲ گیگابایت از ذخیره سازی مموری روی یک قالب، به راحتی ظرفیت موجود در لاین آپ های SSD را دوبرابر کرده و راه حل ایده آلی برای SSD های چند ترابایتی ارائه می دهد.
هرتراشه شامل بیش از ۸۵.۳ میلیارد سلول می باشد که هرکدام از آنها می توانند ۳ بیت از داده ها را ذخیره کنند و در نتیجه ۲۵۶ میلیارد بیت از داده و یا به بیان دیگر ۲۵۶ گیگابایت روی یک چیپ ذخیره می شود. این تکنولوژی جدید SSD های چند ترابایتی را به گزینه های عملی برای کامپیوترهای شخصی تبدیل می کند و به سازندگان تلفن کمک می کند که ذخیره سازی بیشتری را در فضاهای کوچک امتحان کنند. بهره وری این تراشه ی جدید نسبت به مدل ۳۲ لایه ای سابق خود، حدود ۴۰% بیشتر می باشد و همین هم هزینه ی خیلی بیشتری را برای آن در بازار SSD به ارمغان می آورد.
سامسونگ قصد دارد نسل سوم از V-NAND را در همین مدت باقی مانده از سال ۲۰۱۵، به منظور فعال کردن سریعتر اتخاذ SSD های ترابایتی، تولید کند. بنابراین احتمالا تا چند ماه آینده، محصولات بیشتری را از سامسونگ و دیگر شرکت ها خواهیم دید.
.
منبع: engadget , samsungtomorrow
بسیار مطلب جالبی بود