همکاری IBM و سامسونگ برای عمر بیشتر باتری‌های موبایل در آینده. با ما همراه باشید تا راجب همکاری این دو غول تکنولوژی اطلاعاتی برایتان شرح دهیم.
باتری ها، همین سلول های کوچک کم توان که کنار هم جمع شده‌اند دلیلی هستند که ما هنوز با وسایل نقلیه الکتریکی و شارژ کردن تلفن های هوشمند خود تقریباً هر روز درگیر هستیم. دوام باتری ها مدت هاست که مسئله تولید کنندگان مختلف شده است.
باتری های لیتیومی اکنون ده ها سال قدمت دارند و از طرف دیگر حتی با وجود پیشرفت های متعددی مانند باتری های حالت جامد، باتری های گرافن کاتدی، ابرخازن ها و غیره، واقعیت این است که این نمونه های اولیه هنوز سال ها با تولید انبوه و استفاده انبوه در وسایل الکترونیکی فاصله دارند.
همکاری IBM و سامسونگ
بعد از فراز و نشیب های فراوان خبر می‌رسد که اکنون سامسونگ و IBM رویکرد کاملا متفاوتی را به کار گرفته اند. به جای تلاش برای افزایش ظرفیت باتری، غول های فناوری در حال توسعه نوع جدیدی از معماری تراشه هستند که به طور بالقوه می تواند مصرف انرژی را تا 85 درصد کاهش دهد. این فناوری جدید می‌تواند به طور موثری به گوشی‌های هوشمند با یک بار شارژ کمک کند و به آن ترانزیستور نانو صفحه عمودی انتقال اثر میدانی (VTFET) می‌گویند.
اکثر تراشه‌های مدرن (مانند اسنپدراگون داخل گوشی اندرویدی یا A15 بایونیک داخل آیفون) بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی با انتقال جانبی (finFET) ساخته شده‌اند. اگر زیادی در عمق علم الکترونیک نفوذ نکنیم، در بیان ساده این بدان معنی است که ترانزیستورهای داخل تراشه ها روی یک سطح صاف ویفر مانند قرار گرفته اند و سیگنال به صورت دو بعدی به جلو و عقب می رود.
طراحی جدید VTFET همین این طرح را گرفته و آن را در جهت عمودی بست و گسترش داده است (مثل فلش VNAND که سامسونگ در حال ساخت آن است). با قرار دادن ترانزیستورها روی هم، IBM و سامسونگ توانستند محدودیت های خاصی را در طراحی معمولی دور بزنند، اندازه و سطح تماس بهتری را ارائه دهند و طول ورودی ترانزیستورها را بهینه کنند.
در نتیجه، طراحی جدید را می توان به دو روش مختلف بهینه کرد. در رویکرد اول با استفاده از کارایی از این تکنولوژی استفاده می‌شود که در آن عملکرد تقریبا با معماری های مدرن ARM مانند چیپست های Snapdragon و Bionic فوق الذکر برابری می کند اما با این حال، به دلیل افزایش کارایی، این رویکرد تا 85 درصد افزایش عمر باتری را به همراه خواهد داشت و عملا معمای شارژ در فناوری مدرن تلفن هوشمند را حل می کند.
و اما در رویکرد دوم و دیگرِ افزایش عملکرد تراشه، مطابق با مصرف انرژی طرح‌های تخت مدرن عمل می‌شود. رفتن به این مسیر حتی در مقایسه با جایگزین های مدرن FET، باعث افزایش 100 درصدی بهره‌وری عملکرد می‌شود.
بیشتر بخوانید:
- مقایسه آیفون 13 پرو مکس با شیائومی می 11 اولترا
- مقایسه گلکسی اس 21 با شیائومی می 11 اولترا
- مقایسه آیفون 13 پرو مکس با آیفون 13 پرو
- بهترین لپ تاپ های گیمینگ 2021
- بهترین لپ تاپ های 2021
- بهترین لپ تاپ های دانشجویی 2021
نظر شما در مورد همکاری IBM و سامسونگ چیست؟ نظرات خود را در بخش کامنت‌های تکراتو با ما به اشتراک بگذارید.
