همکاری اینتل و آرم برای تولید تراشه‌های 1.8 نانومتری موبایل گامی بلند در صنعت تراشه خواهد بود که آینده پردازنده‌های موبایل را رقم خواهد زد.
همکاری اینتل و آرم برای تولید تراشه‌های 1.8 نانومتری موبایل آغاز شد. با این همکاری جدید دو برند بزرگ و صاحب‌نام تولیدکننده صنعت نیمه‌هادی می‌توان گفت که صنعت تراشه‌های موبایل و آینده گوشی‌های هوشمند رقم خواهد خورد. از طرف دیگر این دو شرکت می‌توانند بزرگانی چون سامسونگ، اپل و کوالکام را نیز در خطری بزرگ قرار دهند و از سهم بازار هرکدام بکاهند.
بیشتر بخوانید: پردازنده های نسل سیزدهم اینتل معرفی شدند؛ رشد 50 درصدی سرعت پردازش!
همکاری اینتل و آرم برای تولید تراشه‌های 1.8 نانومتری موبایل
به نقل از tom’s Hradware دو شرکت Arm و Intel Foundry Services روز چهارشنبه برنامه‌های خود را برای بهینه‌سازی مشترک فناوری طراحی (DTCO) و بهینه‌سازی مشترک فناوری سیستم (STCO) برای IP موبایل Arm در فناوری ساخت Intel 18A (کلاس 1.8 نانومتر) را اعلام کردند.
این طرح به مشتریان Arm و اینتل این امکان را می‌دهد تا عملکرد خود را به حداکثر رسانده، مصرف انرژی کمتری داشته و اندازه‌های برد تراشه آتی خود را که شامل IP Arm می‌شود، بهینه کنند.
طبق این قرارداد، اینتل و آرم به طور مشترک، IP آرم و فرآیند ساخت 18A اینتل برای افزایش عملکرد، قدرت، مساحت و مزیت‌های هزینه گره جدید را بهینه‌سازی خواهند کرد. این دو شرکت در ابتدا بر روی طراحی‌های SoC موبایل تمرکز خواهند کرد، اما ممکن است در نهایت همکاری خود را به خودرو، هوافضا، دیتاسنتر، اینترنت اشیا و برنامه‌های کاربردی دولتی نیز گسترش دهند.
به عنوان بخشی از این توافق‌نامه، آرم و اینتل طراحی مرجع و کیت‌های توسعه دهندگان فرآیند بهینه شده را برای SoCهای موبایل توسعه خواهند داد.
فناوری‌های مدرن تولید تراشه و طراحی پردازنده بسیار پیچیده و گران هستند. برای به حداکثر رساندن مزایای هر گره جدید برای یک طراحی خاص، ریخته‌گری‌ها و توسعه‌دهندگان تراشه این روزها، طراحی ترانزیستور، کتابخانه‌ها، سلول‌های استاندارد، چیدمان تراشه‌ها و اتصالات را بهینه می‌کنند.
وقتی صحبت از فرآیند ساخت 18A اینتل می‌شود، بخش‌های زیادی وجود دارد که می‌توان آن‌ها را در سطح گره و طراحی بهینه کرد تا مزایای PPAC بیشتری را از آن نود استخراج نمود. یکی از نوآوری‌های کلیدی Intel 18A استفاده از ترانزیستورهای گیت همه جانبه (GAA) است که اینتل آن را RibbonFET می‌نامد.
در ترانزیستورهای GAA، کانال‌ها به صورت افقی بوده و به طور کامل توسط گیت‌ها محصور شده‌اند. این کانال‌های GAA از طریق اپیتاکسی و حذف انتخابی مواد ایجاد می‌شوند و طراحان را قادر می‌سازد تا با تغییر عرض کانال‌های ترانزیستور، آن‌ها را تنظیم کرده و بدین شکل عملکرد بالاتر یا مصرف انرژی کمتری داشته باشند.
اگر همه چیز به خوبی کار کند، چنین کنترلی به آن‌ها اجازه می‌دهد تا جریان نشتی ترانزیستور و تغییرات عملکرد را کاهش دهند؛ این نتیجه فرصت‌های بزرگی را برای DTCO فراهم می‌کند.
به گفته مدیرعامل اینتل:
همکاری اینتل با Arm فرصت رقابت در بازار را برای اینتل افزایش می‌دهد و گزینه‌ها و رویکردهای جدیدی را برای هر شرکتی که می‌خواهد به بهترین سی پی یو در کلاس و قدرت یک ریخته‌گری سیستم باز با فناوری پردازش پیشرو دسترسی داشته باشد، باز خواهد کرد.
نکته مهمی که در مورد 18A اینتل باید به آن توجه کرد این است که از این فناوری برای ساخت تراشه‌ها در مکان‌های مختلف استفاده می‌شود که اینتل در سرتاسر جهان به تولید آن مشغول است. این مزیت این فرآیند ساخت خواهد بود زیرا طراحان تراشه‌ها به دنبال بومی سازی تولید تراشه نیز هستند.
بیشتر بخوانید:
- بزرگترین کارخانه تراشه‌سازی جهان در کره جنوبی ساخته می‌شود
- بودجه 143 میلیارد دلاری چین برای تقویت صنعت تراشه‌سازی
دیدگاه شما در خصوص همکاری اینتل و آرم برای تولید تراشه‌های 1.8 نانومتری موبایل چیست؟ نظرات خود را در بخش کامنت‌ها با ما به اشتراک بگذارید و اخبار تکنولوژی را با تکراتو دنبال کنید.
