تولید انبوه تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ به سال آینده موکول شده است. سامسونگ در سال جاری، به تولید تراشه‌های نسل دوم 3 نانومتری مشغول خواهد بود.
در چند سال گذشته، سامسونگ کاهش سرعت شدیدی در بخش تولید تراشه‌های نیمه هادی داشته است. در این مدت، هیچ شرکت بزرگ تولید تراشه (به غیر از بخش System LSI سامسونگ که تراشه‌های Exynos را تولید می‌کند) از فرآیند تولید 3 نانومتری و نسل جدید فرآیند 4 نانومتری Samsung Foundry استفاده نکرده است. با این حال، این شرکت ناامید نشده و همچنان با توسعه فرآیندهای پردازشی جدیدتر، از جمله فرآیند 2 نانومتری، به پیش می‌رود.
ادامه مطلب در ادامه
بیشتر بخوانید:
- کوالکام تراشه اسنپدراگون ایکس پلاس خود را با سریع ترین NPU دنیا برای لپ تاپ ها معرفی کرد
- آیفون‌های اپل تراشه‌های ۲ نانومتری را قبل از گوشی‌های گلکسی دریافت می‌کنند
- سرمایه‌گذاری 1.66 میلیارد دلاری هواوی برای رسیدن به استقلال در توسعه تراشه
- دومین کارخانه تولید تراشه سامسونگ به زودی در ایالات متحده ساخته خواهد شد
تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ
اخیرا گزارش جدیدی از Business Korea منتشر شده که نشان می‌دهد Samsung Foundry در حال توسعه نسل بعدی فناوری Gate All Around یا همان GAA بوده و از آن در فرآیند 2 نانومتری خود استفاده خواهد کرد.
تولید انبوه این تراشه‌های نیمه هادی 2 نانومتری برای سال آینده برنامه‌ریزی شده است. طبق گزارش‌ها، سامسونگ در رابطه با نسل سوم فناوری GAA خود و نحوه استفاده از آن در تراشه‌های 2 نانومتری، در نمایشگاه VLSI Symposium 2024 سخنرانی خواهد داشت. این نمایشگاه از 16 تا 20 ژوئن 2024 در هاوایی آمریکا برگزار خواهد شد.
نمایشگاه VLSI یکی از سه کنفرانس برتر جهان درباره فناوری نیمه هادی است که در طول آن بهترین و برترین ایده‌ها در این زمینه مورد بحث قرار می‌گیرند. دو کنفرانس برتر دیگر درباره تراشه‌های نیمه هادی، نشست بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی (IEDM) و کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) هستند.
مزیت نسل جدید فناوری GAA نسبت به نسل‌های پیشین چیست؟
فناوری GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که جریان در حال حرکت و راندمان توان را بهبود می‌بخشد. این محصول برای اولین بار همراه با نسل اول فرآیند تولید 3 نانومتری سامسونگ معرفی شد.
با این حال، تا به امروز، هیچ شرکت تولید تراشه دیگری از جمله AMD، اپل، مدیاتک، انویدیا و کوالکام در محصولات خود از آن استفاده نکرده‌اند. انتظار می‌رود که بخش System LSI سامسونگ اولین شرکتی باشد که از فرآیند 3 نانومتری Samsung Foundry برای نسل بعدی تراشه‌های اگزینوس مخصوص گوشی‌ها و ساعت‌های هوشمند استفاده کند.
در مقایسه با تراشه‌های مبتنی بر فرآیند 5 نانومتری Samsung Foundry، تراشه‌های 3 نانومتری GAA کاهش 16 درصدی مساحت و 23 درصد بهبود عملکرد و 45 درصد بازده انرژی بالاتر دارند. تخمین زده می‌شود که نسل دوم فرآیند 3 نانومتری کاهش 35 درصدی در اندازه تراشه، 30 درصد بهبود عملکرد و 50 درصد بازده انرژی بهتر را ارائه دهد. نسل سوم GAA نیز که قرار است در تراشه‌های 2 نانومتری به کار گرفته شود، 50 درصد کاهش مساحت و 50 درصد عملکرد بالاتر خواهد داشت.
رقیب اصلی سامسونگ، TSMC، هنوز از فناوری Gate All Around در فرآیند تولید پیشرفته خود استفاده نکرده است. سامسونگ قصد دارد که تراشه‌های نسل دوم فرآیند 3 نانومتری GAA (مانند تراشه موجود در گلکسی اس 25) را در نیمه دوم سال جاری به تولید انبوه برساند. انتظار می‌رود که اینتل و TSMC نیز از فناوری GAA در نسل بعدی فرآیندهای 2 نانومتری خود استفاده کنند.
بیشتر بخوانید:
- غیر رسمی: سامسونگ از TPU گوگل در تراشه‌های هوش مصنوعی خود استفاده خواهد کرد
- دسترسی به تراشه های هوش مصنوعی آمریکایی برای چین محدودتر می‌شود
- تراشه هوش مصنوعی سامسونگ با نام Mach-1 در سال 2025 معرفی خواهد شد
- سود سامسونگ در فصل اول 2024 با افزایش 933 درصدی به 4.8 میلیارد دلار رسید
- احتمالا گلکسی S25 سامسونگ با هوش مصنوعی جمینی نانو 2 عرضه شود
نظر شما کاربران تکراتو درباره تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ چیست؟ دیدگاه خود را در بخش نظرات با تکراتو به اشتراک بگذارید و اخبار تکنولوژی را با ما دنبال کنید.
منبع: sammobile
